利亞得半導體真空回流焊氮氣爐 晶圓體回流焊

一、LIEADI LUNA SMT半導體真空回流焊簡介

1、分別有6、8、10和12 區(qū)空氣或氮氣型號、350oC 最高溫度、靈活的平臺配置、低氮氣和低功耗以及全面的菜單，在眾多同行中，LIEADI 既是業(yè)內(nèi)功能最全制造者，也是最具性價比。

2、 LIEADI 回流焊爐的設(shè)計和制造旨在應(yīng)對當今的無鉛工藝和未來的挑戰(zhàn)。憑借其無與倫比的熱性能、多功能性，努力為世界一流的生產(chǎn)設(shè)定了行業(yè)標準。 

3、利亞得半導體回流焊制造商，用于晶圓、基板植球、FC

4、LIEADI 提供優(yōu)化的無鉛加工， 提高生產(chǎn)力和效率。LIEADI 獨有的閉環(huán)對流控制，提供精確的加熱和冷卻控制、恒定的熱傳遞、最大的過程控制和減少的氮消耗，擁有業(yè)內(nèi)最低制造成本。

二、半導體真空回流焊特點：

多點氣體采集系統(tǒng)、風機閉環(huán)控制、過溫保護系統(tǒng)、不銹鋼內(nèi)部結(jié)構(gòu)、獨立過溫保護系統(tǒng)、

高效助焊回收系統(tǒng)、加熱絲、加熱馬達5年質(zhì)保、支持100PPM以下氧含量控制；

三、氣密性

為了保證穩(wěn)定的氣氛含量，從而對再流焊接設(shè)備的氣密性提出更高的要求和指標。通常影響設(shè)備氣密性的因素有設(shè)備材料、結(jié)構(gòu)設(shè)計及氣氛監(jiān)控手段等。

四、精準控溫

精準控溫能力各溫區(qū)之間的溫度指標，同一溫區(qū)的溫度均勻性指標，爐內(nèi)溫度與環(huán)境溫度之間的相互影響等多重因素。

五、防靜電設(shè)計

靜電放電會對集成電路造成損傷，主要表現(xiàn)于造成介質(zhì)擊穿，芯片內(nèi)熱二次擊體積擊穿，表面擊穿等，使集成電路徹底損壞，或由于靜電引起的潛在損害。

穿，針對于以上損害，我們將設(shè)備摩擦電壓，固定部件對地電阻，機臺漏電電壓移動部件對地電阻等各項數(shù)值，都穩(wěn)定在低于國際防靜電要求之內(nèi)。

六、軟件系統(tǒng)

利亞得軟件解決方案可以對設(shè)備系統(tǒng)進行可靠控制和監(jiān)控智能軟件解決方案由監(jiān)控工具和支持各種任務(wù)的多種模塊組成。

主軟件能夠編輯和評估數(shù)據(jù)，例如保持特定的參數(shù)恒定

七、熱效率

包含各溫區(qū)設(shè)定溫度與板載溫度的溫差指標主要影響要素有:風道結(jié)構(gòu)設(shè)計、加熱模組構(gòu)成、溫區(qū)隔熱性能等

八、傳送系統(tǒng)

隨著元器件小型化、微型化和焊接速度的相對矛盾加劇，運輸系統(tǒng)的穩(wěn)定性成為再流焊接重要指標之一。震動會造成移位、

吊橋、冷焊等缺陷;網(wǎng)帶振動率，在鏈速達到150cm/min，振動率在1g以內(nèi)。

九、SMT半導體真空回流焊參數(shù)